| 发明名称 | 一种制作矽贯通电极的方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI502716 | 申请公布日期 | 2015.10.01 |
| 申请号 | TW100116730 | 申请日期 | 2011.05.12 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 卢彦良;林君玲;许启茂;林进富;陈春宏;郑存闵;蔡孟宏 |
| 分类号 | H01L23/535;H01L23/538;H01L23/488 | 主分类号 | H01L23/535 |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 | |
| 主权项 | 一种制作矽贯通电极的方法，包含：提供一半导体基底；于该半导体基底中形成一穿矽导孔；覆盖一衬垫层于该穿矽导孔中；对该衬垫层进行一烘烤制程之后形成一阻障层于该衬垫层表面；以及形成一矽贯通电极于该穿矽导孔中。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||