Grabentransistorbauelement

摘要

Ein Transistorbauelement enthält ein Halbleiter-Mesagebiet zwischen ersten und zweiten Gräben in einem Halbleiterkörper, ein Bodygebiet von einem ersten Leitfähigkeitstyp und ein Sourcegebiet von einem zweiten Leitfähigkeitstyp in dem Halbleiter-Mesagebiet, ein Driftgebiet vom zweiten Leitfähigkeitstyp in dem Halbleiterkörper, und eine Gateelektrode, die sich benachbart zu dem Bodygebiet in dem ersten Graben befindet und die durch ein Gatedielektrikum von dem Bodygebiet dielektrisch isoliert ist. Das Bodygebiet separiert das Sourcegebiet von dem Driftgebiet und erstreckt sich benachbart zu dem Sourcegebiet zu der Oberfläche des Halbleiter-Mesagebiets. Das Bodygebiet weist ein Oberflächengebiet auf, das an die Oberfläche des Halbleiter- Mesagebiets und den ersten Graben angrenzt. Das Oberflächengebiet weist eine höhere Dotierungskonzentration auf als ein Abschnitt des Bodygebiets, der das Sourcegebiet von dem Driftgebiet separiert.