半导体装置与其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

摘要

一种装置包含含矽之一基板、一鳍状结构包含由矽形成且被一绝缘区域包围之一下部分、由碳化锗矽形成之一中部分，其中中部分被一氧化层所包围、由矽形成之一上部分，其中上部分包含一通道与形成于中部分与上部分之间的一碳化矽层、一第一源极/汲极区域包含一第一磷化矽区域与形成于第一磷化矽区域下的第一碳化矽层、以及一第二源极/汲极区域包含一第二磷化矽区域与形成于第二磷化矽区域下的第二碳化矽层。