异质半导体材料集成技术;HETEROGENEOUS SEMICONDUCTOR MATERIAL INTEGRATION TECHNIQUES

摘要

所揭示的技术用于初始基板上的一层晶格不匹配半导体材料的异质磊晶生长，及该层的无缺陷部分对操作晶圆或集成用的其它适合基板的转移。依据一些实施例，转移可能导致操作晶圆/基板上之岛状氧化物结构的存在，每一个结构具有嵌入它的上表面内之晶格不匹配半导体材料的无缺陷岛状区。每一个无缺陷半导体岛状区可具有一或多个结晶刻面边缘，且以它的附带氧化物结构，可提供集成用平面。于一些例子中，一层第二不同半导体材料可异质磊晶地生长在操作晶圆/基板上以组装所转移岛状区周围之区域。于一些其他例子中，操作晶圆/基板本身可同质磊晶地生长以组装所转移岛状区周围之区域。