| 主权项 |
一种电子构件之制造方法，其特征系该制造方法包括：在晶圆背面全面涂布糊状黏着剂，并进行放射线照射或加热，以使糊状黏着剂半硬化成为片状的黏着剂半硬化层形成步骤；将形成于晶圆之黏着剂半硬化层与环形框架贴附于黏着片的黏着层而固定之贴附步骤；以切割刀将晶圆连带黏着剂半硬化层一起切割而制成半导体晶片之切割步骤；以及在照射放射线之后，自黏着层拾取附有黏着剂半硬化层的晶片之拾取步骤，而黏着片系具有基材薄膜、与积层于基材薄膜的其中一面之黏着层，构成黏着层的黏着剂系具有(甲基)丙烯酸酯共聚物、紫外线聚合性化合物、多官能异氰酸酯硬化剂、与光聚合起始剂，光聚合起始剂系一种藉由下式所计算出的质量减少率成为10%时的温度为250℃以上之物：质量减少率={(昇温前质量-昇温后质量)/(昇温前质量)}×100(%)(式中，昇温前质量表示在25℃的光聚合起始剂质量，昇温后质量表示以10℃/分钟的昇温速度由23℃昇温至500℃时，在各温度的光聚合起始剂质量)。 |
