具有与先钻孔或中间钻孔之结构连接之后接点的微电子元件

主权项

一种微电子单元，其包含：包括单晶半导体区域且具有在第一方向上延伸之前表面的微电子元件、曝露在该前表面之前接点、邻近该前表面之主动电路元件、远离该前表面之后表面及在前表面之下向该后表面延伸之导电通孔、电耦合该导电通孔之多晶矽半导体材料区域，该导电通孔被放置在部分通过该单晶半导体区域之厚度延伸之沟槽中、及自后表面部分通过该单晶半导体区域之厚度之开口至少延伸到该多晶矽半导体材料区域，该开口及该多晶矽半导体材料区域在该第一方向上具有各别宽度，该开口之宽度大于该多晶矽半导体材料区域之宽度；及在该后表面暴露以与外部电路元件电连接并且藉由在该开口中之导电互连、藉由耦合至其之该多晶矽半导体材料区域、及藉由与该多晶矽半导体材料区域电耦合之该导电通孔而电耦合该前接点之后接点。