首页
产品
黄页
商标
征信
会员服务
注册
登录
全部
|
企业名
|
法人/股东/高管
|
品牌/产品
|
地址
|
经营范围
发明名称
乾式蚀刻方法
摘要
申请公布号
TWI502642
申请公布日期
2015.10.01
申请号
TW101130899
申请日期
2012.08.24
申请人
中央硝子股份有限公司
发明人
梅崎智典;毛利勇
分类号
H01L21/3065
主分类号
H01L21/3065
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
一种乾式蚀刻方法,其系于形成于基板上之具有复数积层有矽层与绝缘层之层状构造之积层膜上,使用蚀刻气体对显露于在基板面上沿垂直方向形成之孔或沟槽之内侧面之复数之矽层进行蚀刻者;其特征在于:作为蚀刻气体,使用含有选自ClF3、BrF5、BrF3、IF7及IF5中之至少1种气体及F2之气体。
地址
日本
您可能感兴趣的专利
HIGH PERFORMANCE SOLUTION PROCESSABLE SEMICONDUCTING POLYMERS BASED ON ALTERNAT-ING DONOR ACCEPTOR COPOLYMERS
METHOD FOR TONING THE FACE SKIN
METHOD FOR DETECTING WORK ALIGNMENT MARK AND EXPOSURE APPARATUS
Supply unit for transporting created offcuts from a cutting machine
A microscale gas discharge ion detector
Multiple speed automatic transmission
Sheet folder
Dome type camera
Folding Top For A Convertible Vehicle
HIGH THROUGHPUT METHOD FOR ANALYZING THE FATTY ACID COMPOSITION IN PLASMA PHOSPHOGLYCERIDES
Optical information reproducing method and apparatus, and optical information recording medium
FRICTION ENGAGEMENT DEVICE
Monocyte
Monocyte
Treatment
Inventions and therapy
Inventions and therapy
Inventions and therapy
Bolt tensioner
Monocyte