发明名称 乾式蚀刻方法
摘要
申请公布号 TWI502642 申请公布日期 2015.10.01
申请号 TW101130899 申请日期 2012.08.24
申请人 中央硝子股份有限公司 发明人 梅崎智典;毛利勇
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种乾式蚀刻方法,其系于形成于基板上之具有复数积层有矽层与绝缘层之层状构造之积层膜上,使用蚀刻气体对显露于在基板面上沿垂直方向形成之孔或沟槽之内侧面之复数之矽层进行蚀刻者;其特征在于:作为蚀刻气体,使用含有选自ClF3、BrF5、BrF3、IF7及IF5中之至少1种气体及F2之气体。
地址 日本