| 摘要 |
<p>不揮発性メモリアレイの非ターゲットメモリセルにおける書込みディスターブ状態を最小限に抑えるシステムおよび方法が提供される。ターゲットメモリセルのビットラインと非ターゲットメモリセルの近傍ビットラインの両方に印加される傾斜電圧を制御するためのビットライン駆動回路が提供される。さまざまな実施形態は、ターゲットメモリセルにおける書込み動作中、近傍のセルのそれまで浮遊状態であったビットラインに制御された電圧信号を印加して、近傍の非ターゲットメモリセルのソースノードとドレインノードとの間の電位差を減少させることで、非ターゲットメモリセルに格納されたデータの完全性を維持するという利点を有する。別の実施形態では、ドレインバイアス電圧が上昇傾斜する間、上昇したソースバイアス電圧がターゲットセルの「ソース」ビットラインに印加され、その後、書込み動作の間、接地電位または接地電位に近い電位まで下げられる。【選択図】 図４</p> |
