| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung betrifft eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem oder mehreren Gehäusen (12, 13, 14), die jeweils einen Innenraum (15, 16, 17) definieren, in dem ein Atmosphäre gegeben ist, welche mit EUV-Strahlung in Kontakt kommen kann, wobei in dem Innenraum beim Betrieb Wasserstoffionen und/oder Wasserstoffradikale entstehen können und wobei die EUV-Projektionsbelichtungsanlage eine Vielzahl von Komponenten (7a, 7b) aufweist, die zumindest teilweise in dem Innenraum aufgenommen sind, wobei die Komponenten zumindest teilweise eine Schicht aus einem Edelmetall aufweisen, deren minimale Schichtdicke so gewählt ist, dass die Schicht nicht von Wasserstoffionen und/oder Wasserstoffradikalen durchdrungen werden kann. Die Erfindung betrifft weiterhin entsprechende Komponenten und ein Verfahren zu deren Herstellung. |
