| 摘要 |
반도체 기판(1) 상에 절연막(5, 6, 18, 19), 제1 재료막(20)을 차례로 형성하는 공정, 제1 재료막 상에 직사각형의 제1 개구(31)를 가지는 마스크막(21, 22)을 형성하는 공정, 및 마스크막을 마스크로 하여 제1 재료막을 건식 식각하여, 제1 재료막에 제1 방향(Y)으로 단축을 가지는 타원형의 제2 개구(31A)를 형성하는 공정을 가진다. 마스크막을 형성하는 공정은, 제1 개구의 제1 방향으로 대향하는 측면을 가지는 제2 재료막(21)과, 제1 개구의 제2 방향으로 대향하는 측면을 가지는 제3 재료막(21, 22)을 형성하는 공정을 포함하며, 제3 재료막의 두께는 제2 재료막의 두께보다 두껍다. |
