非挥发性半导体记忆装置

主权项

一种非挥发性半导体记忆装置，其包括：一记忆单元阵列，其包含一或多个第一导线、堆积于该等第一导线上之一或多个记忆单元及与该等记忆单元上之该等第一导线相交之一或多个第二导线，藉由施加一第一极性之电压而使该等记忆单元处于一低电阻状态，且藉由施加与该第一极性不同之一第二极性之电压而使该等记忆单元处于一高电阻状态；及一控制电路，其经组态以导致该记忆单元之状态透过该等第一导线及该等第二导线而过渡于该高电阻状态与该低电阻状态之间，当执行将该记忆单元设定为该低电阻状态之设定操作时，到该记忆单元之一电阻值变为低于一预定电阻值之前，该控制电路重复：施加一第一电压以设定该记忆单元；及一验证读取以验证该记忆单元之该电阻值已变为低于该预定电阻值，及在该验证读取之后，该控制电路在施加紧随之该第一电压之前将具有与该第一电压之极性不同之一极性之一第二电压施加至该记忆单元。