半导体发光结构

主权项

一种半导体发光结构，包括：一n型半导体层；一p型半导体层；以及一主动层，位在该n型半导体层与该p型半导体层之间，且该主动层由复数个井层以及复数个能障层交错层叠而形成一多量子井结构；以及复数第一电子阻挡层，在靠近该n型半导体层处，与部分该些井层与部分该些能障层交错层叠，而在靠近该p型半导体层处，不与其余该些井层与其余该些能障层交错层叠，以使该主动层相对靠近该n型半导体层之区域对电子的局限能力增加，以提高该主动层的转换效率。