| 发明名称 | 于共同基底上制造双闸极与三闸极电晶体的方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI502649 | 申请公布日期 | 2015.10.01 |
| 申请号 | TW100140869 | 申请日期 | 2011.11.09 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 王志荣;陈东郁 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 | |
| 主权项 | 一种于共同基底上制造双闸极与三闸极电晶体的方法，包括：提供一基底，其包括一第一鳍状结构及一第二鳍状结构，并且一第一遮罩层覆盖该第一鳍状结构，一第二遮罩层覆盖该第二鳍状结构；移除该第一遮罩层；形成一闸极材料层以覆盖该第一鳍状结构及该第二遮罩层；将该闸极材料层图案化以形成一包覆该第一鳍状结构的三闸极结构及一包覆该第二鳍状结构与该第二遮罩层的双闸极结构；及各于该三闸极结构二侧的该第一鳍状结构中及该双闸极结构二侧的该第二鳍状结构中形成二源/汲极。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||