发明名称 半导体封装及镶嵌半导体晶粒至直通矽晶穿孔基板的对边之方法
摘要
申请公布号 TWI502682 申请公布日期 2015.10.01
申请号 TW099135417 申请日期 2010.10.18
申请人 史达晶片有限公司 发明人 崔大植;金锺虎;李亨民
分类号 H01L21/768;H01L21/56;H01L23/48;H01L23/12 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 一种制造半导体封装的方法,其包括:提供一基板;形成一第一导体穿孔贯穿该基板;将该具有第一导体穿孔的基板镶嵌至一第一载板;将一第一半导体晶粒镶嵌至该基板的一第一表面;将一第一囊封剂沉积在该第一半导体晶粒与第一载板的上方;移除该第一载板;将具有该第一囊封剂之第一半导体晶粒及基板镶嵌至一第二载板;将一第二半导体晶粒镶嵌至该基板的一第二表面,该第二表面和该基板的第一表面反向;将一第二囊封剂沉积在该第二半导体晶粒的上方;以及移除该第二载板。
地址 新加坡