发明名称 |
半导体封装及镶嵌半导体晶粒至直通矽晶穿孔基板的对边之方法 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI502682 |
申请公布日期 |
2015.10.01 |
申请号 |
TW099135417 |
申请日期 |
2010.10.18 |
申请人 |
史达晶片有限公司 |
发明人 |
崔大植;金锺虎;李亨民 |
分类号 |
H01L21/768;H01L21/56;H01L23/48;H01L23/12 |
主分类号 |
H01L21/768 |
代理机构 |
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代理人 |
阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
主权项 |
一种制造半导体封装的方法,其包括:提供一基板;形成一第一导体穿孔贯穿该基板;将该具有第一导体穿孔的基板镶嵌至一第一载板;将一第一半导体晶粒镶嵌至该基板的一第一表面;将一第一囊封剂沉积在该第一半导体晶粒与第一载板的上方;移除该第一载板;将具有该第一囊封剂之第一半导体晶粒及基板镶嵌至一第二载板;将一第二半导体晶粒镶嵌至该基板的一第二表面,该第二表面和该基板的第一表面反向;将一第二囊封剂沉积在该第二半导体晶粒的上方;以及移除该第二载板。
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地址 |
新加坡 |