发明名称 半导体装置
摘要
申请公布号 TWI502707 申请公布日期 2015.10.01
申请号 TW100109541 申请日期 2011.03.21
申请人 瑞萨电子股份有限公司 发明人 川城史义
分类号 H01L23/488 主分类号 H01L23/488
代理机构 代理人 周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼
主权项 一种半导体元件,包括:一互连基板,其上装设着一半导体晶片;复数电极,形成在该互连基板之一表面上;及复数焊锡凸块,形成在该等电极上,其中该焊锡凸块包括一基部、及覆盖着该基部之一表面层部,及其中该表面层部包括选自于由Cu、Ni、Au及Ag所组成的群组之导电金属及至少Sn,每一单位体积之该导电金属之原子数目对Sn原子数目之一比例系大于0.01。
地址 日本