| 发明名称 |
形成积体电路结构的方法与积体电路结构 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI502724 |
申请公布日期 |
2015.10.01 |
| 申请号 |
TW099122431 |
申请日期 |
2010.07.08 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
李新辉;郑荣伟 |
| 分类号 |
H01L25/04;H01L21/56;H01L21/304;H01L23/28 |
主分类号 |
H01L25/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
一种形成积体电路结构的方法，包括：接收一晶圆，其具有一晶片侧与一非晶片侧，该晶片侧包括复数个半导体晶片；提供复数个晶粒，各个该晶粒自该晶片侧藉由焊料凸块结合至该复数个半导体晶片之一；形成一或多个沟槽于该晶圆该晶片侧之该晶圆内；在各个该晶粒结合至该复数个半导体晶片之一之后，将该晶圆之该晶片侧与该复数个晶粒封住，且以一保护材料填入该一或多个沟槽；以及切割该晶圆以将该晶圆分成个别的半导体封装体。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
