| 发明名称 |
简化之铜-铜接合方法及利用该方法制造一微电子装置之方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI502664 |
申请公布日期 |
2015.10.01 |
| 申请号 |
TW099121827 |
申请日期 |
2010.07.02 |
| 申请人 |
替代能源与原子能署;意法半导体（克罗里２厂）公司 |
发明人 |
迪 休克休 利;盖冈 彼尔瑞克;里弗瑞 莫里斯 |
| 分类号 |
H01L21/60;H01L21/461;B81B7/02 |
主分类号 |
H01L21/60 |
| 代理机构 |
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代理人 |
赖安国 台北市信义区东兴路37号9楼;王立成 台北市信义区东兴路37号9楼 |
| 主权项 |
一种接合一第一铜元素在一第二铜元素上之方法，至少包含：A)一步骤以形成一晶体铜层，在每一个第一元素及第二元素之每一个表面系富含氧，透过该等元素将会被接触，二层之总厚度小于6奈米；B)一步骤使富含氧之二晶体铜层相互接触；上述步骤A)包含：a)至少一步骤以抛光该表面，以获得粗糙度小于1奈米RMS且亲水之表面；b)至少一步骤以清洁上述表面，以抑制因为抛光及腐蚀抑制剂之主要部分而存在的粒子。
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| 地址 |
法国 |
