半导体装置之制造方法

摘要

改善所谓形成于多层膜之孔洞的深度空间之垂直性。;提供一种半导体装置之制造方法，系将包含具有互相相异之介电率，且交互地层积之第1膜及第2膜的多层膜在电浆处理装置之处理容器内透过遮罩来加以蚀刻。该方法系反覆实行包含有：(a)将含有O2气体或N2气体及稀有气体之第1气体供给至该处理容器内，而激发该第1气体之工序；(b)将含有氟碳系气体或氟氢碳系气体之第2气体供给至该处理容器内，而激发该第2气体之工序；以及(c)将含有HBr气体、含氟气体以及氟碳系气体或氟氢碳系气体之第3气体供给至该处理容器内，而激发该第3气体之工序的机制。