发明名称 |
用以在CIS、CIGS或CZTS的基础上形成半导体薄膜之前驱体溶液 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI502103 |
申请公布日期 |
2015.10.01 |
申请号 |
TW102121168 |
申请日期 |
2013.06.14 |
申请人 |
桑翠斯提电池股份有限公司 |
发明人 |
福斯特 桑妮娃 玛利达;史怀则 曼菲德 乔格 |
分类号 |
C25D3/38;C25D7/12 |
主分类号 |
C25D3/38 |
代理机构 |
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代理人 |
周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼 |
主权项 |
一种藉由印刷用以在CIS、CIGS或CZTS的基础上形成一半导体薄膜之前驱体溶液,该前驱体溶液包含至少两不同金属阳离子之金属错合物和一溶剂,其中第一金属阳离子为一铜阳离子,以及第二金属阳离子系选择自一由(i)铟、(ii)铟与镓之一组合、以及(iii)锌与锡之一组合所组成之群组,其中铜与锡,若锡存在,系藉由选择自由三硫代碳酸盐、聚硫化物或其硒类似物所组成之群组之至少一含硫或硒的阴离子错合物配位基或聚阴离子错合,以及其中若铟、铟和镓、或锌之任一者存在,他们的阳离子系被错合且因此藉由一过量的三硫代碳酸盐和/或三硒代碳酸盐而稳定。
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地址 |
加拿大 |