METHOD FOR MANUFACTURING SIC SINGLE- CRYSTAL SUBSTRATE FOR EPITAXIAL SIC WAFER, AND SIC SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE FOR EPITAXIAL SIC WAFER

摘要

표면 결함 등이 적고 고품질의 탄화규소 단결정 박막을 구비한 에피택셜 탄화규소 웨이퍼를 얻을 수 있는 탄화규소 단결정 기판의 제조 방법 및 탄화규소 단결정 기판을 제공한다. 표면 결함 등이 적고 고품질의 탄화규소 단결정 박막을 갖는 에피택셜 탄화규소 웨이퍼용 탄화규소 단결정 기판의 제조 방법이며, 탄화규소 단결정 기판의 표면을 연마 속도 100㎚/hr. 이하의 CMP(화학 기계 연마)법에 의해 연마하여 표면을 두께 100㎚ 이상 제거하고, 직경 0.5㎛ 이상 1.5㎛ 이하, 깊이 50㎚ 이상 500㎚ 이하의 대략 원 형상의 피트를 1개/㎠ 이하로 한다.