| 摘要 |
ESD 내량이 높은 반도체 장치를 제공하기 위해, 접지 전압 배선 (22a) 은, 외부 접속용의 접지 전압 패드로부터의 배선 (22b) 과 자체의 배선 방향의 일단에서 전기적으로 접속되고, 입력 전압 배선 (23a) 은, 외부 접속용의 입력 전압 패드로부터의 배선 (23b) 과 자체의 배선 방향의 일단에서 전기적으로 접속되고, 접지 전압 배선 (22a) 의 일단과 입력 전압 배선 (23a) 의 일단은, NMOS 트랜지스터 (10) 의 중심을 중심으로 하여 대략 대향하는 반도체 장치 (IC) 로 한다. |
