| 摘要 |
ESD 내량이 높은 반도체 장치를 제공하기 위해, 복수의 소스 배선 (22) 은, 동일 형상의 금속막으로 각각 구성되고, 복수의 소스 (12) 를 접지 전압 배선 (22a) 에 각각 전기적으로 접속시키고, 복수의 드레인 배선 (23) 은, 동일 형상의 금속막으로 각각 구성되고, 복수의 드레인 (12) 을 입력 전압 배선 (23a) 에 각각 전기적으로 접속시키고, 복수의 게이트 배선 (21) 은, 동일 형상의 금속막으로 각각 구성되고, 복수의 게이트 (11) 를 접지 전압 배선 (22a) 에 각각 전기적으로 접속시킨다. 또한, 백 게이트 배선 (24) 은, 금속막으로 구성되고, 백 게이트 (14) 를 접지 전압 배선 (22a) 에 전기적으로 접속시키고 있고, 백 게이트 배선 (24) 은, 소스 (12) 상의 소스 배선 (22) 으로부터 분리되어 있다. |
