发明名称 氮化物半导体发光装置
摘要 本发明提供一种动作电压降低且光输出提高之氮化物半导体发光装置。;实施形态之氮化物半导体发光装置包含积层体、第1电极、及第2电极。上述积层体具有包含第1导电型层之第1层、包含第2导电型层之第2层、及设置于上述第1层与上述第2层之间之发光层,且含有氮化物半导体,并且于部具有自成为与上述发光层相反之侧之上述第1层之表面到达上述第2层之凹部。上述第1电极以覆盖上述第1层之上述表面之方式设置,且反射来自上述发光层之发出光。上述第2电极设置于上述凹部之底面之上述第2层上。与设置有上述凹部之面相反之侧之上述第2层之面成为光出射面。上述第1电极之内缘与上述第2电极构成同心圆。
申请公布号 TW201537779 申请公布日期 2015.10.01
申请号 TW103123340 申请日期 2014.07.07
申请人 东芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 田中明 TANAKA, AKIRA
分类号 H01L33/36(2010.01) 主分类号 H01L33/36(2010.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本 JP