半导体装置、预写入程式及复原程式;SEMICONDUCTOR, PRE-WRITE PROGRAM AND RESTORATION PROGRAM

摘要

本发明系一种半导体装置，预写入程式及复原程式，其中，控制电路(105)系在接受第1消除指令时，控制使第1记忆元件(102)之临界值电压与第2记忆元件(103)之临界值电压同时进行增加之第1预写入处理之执行，之后，第1记忆元件(102)之临界值电压与第2记忆元件(103)之临界值电压则至成为较特定之消除验证位准为小为止，控制使第1记忆元件(102)之临界值电压与第2记忆元件(103)之临界值电压同时减少之消除处理之执行。控制电路(105)系在接受第2消除指令时，控制使第1记忆元件(102)与第2记忆元件(103)之中的一方之临界值电压增加之第2预写入处理之执行，之后，控制消除处理之执行。