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Die Erfindung betrifft einen CVD-Reaktor und ein Verfahren zu dessen Betrieb, Ein Suszeptor (2) weist einen von einer unterhalb seiner angeordneten Heizeinrichtung (6) aufheizbaren Grundkörper (7, 8, 9) aufweist, auf dem unter Ausbildung eines Horizontalspaltes (11, 11', 11'') eine stromabwärts des Gaseinlassorgans (3) angeordnete Vorlaufzonenplatte (10) und stromabwärts davon mindestens ein Substratträger (12) zur Aufnahme von mit Reaktionsprodukten des mindestens einen Prozessgases zu beschichtenden Substrate (14) angeordnet sind, wobei durch permanente Wärmeflüsse vom Grundkörper (7, 8, 9) zur Vorlaufzonenplatte (10) und zu den Substratträgern (12) und von der Vorlaufzonenplatte (10) und den Substratträgern (12) beziehungsweise den davon getragenen Substraten (14) zu einer gekühlten Zone der Prozesskammer, insbesondere der Prozesskammerdecke (15) die Oberfläche der Vorlaufzonenplatte (10) auf eine Vorlaufzonentemperatur (TV1, TV2) und die Oberfläche der Substratträger beziehungsweise der Substrate (14) auf eine Substrattemperatur (TS) aufheizbar sind. Um die Oberflächentemperatur der Vorlaufzonenplatte während des Betriebs der Vorrichtung zu ändern oder zu stabilisieren, wird vorgeschlagen, dass in den Horizontalspalt (11, 11', 11'') ein gasförmiger Wärmeübertrager einspeisbar ist, dessen Wärmeleiteigenschaft einstellbar ist. |
