发明名称 |
半导体元件的制造方法;METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE |
摘要 |
一种半导体元件的制造方法,包括以下步骤。在基底中形成多个隔离结构,其中每一隔离结构的顶表面高过于基底的顶表面,而相邻的隔离结构和位于其间的基底定义出第一沟渠。在基底上形成覆盖该些隔离结构且部分填满每一第一沟渠的第一导电层。在每一第一沟渠中的第一导电层上形成保护层。使第一导电层表面的一部分氧化,以形成牺牲层。移除牺牲层以及该些保护层。形成覆盖第一导电层且填满该些第一沟渠的第二导电层。 |
申请公布号 |
TW201537676 |
申请公布日期 |
2015.10.01 |
申请号 |
TW103111796 |
申请日期 |
2014.03.28 |
申请人 |
华邦电子股份有限公司 WINBOND ELECTRONICS CORP. |
发明人 |
刘链尘 LIOU, LIANN CHERN;何佳哲 HO, CHIA CHE |
分类号 |
H01L21/762(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗詹东颖刘亚君 |
主权项 |
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地址 |
台中市大雅区科雅一路8号 TW |