低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液以及低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液应用;CLEANING SOLUTION FOR REMOVAL OF PHOTO-RESIST ETCHING RESIDUES WTH LOW ETCHING ABILITY AND USE OF CLEANING SOLUTION FOR REMOVAL OF PHOTO-RESIST ETCHING RESIDUES WITH LOW ETCHING ABILITY

摘要

本发明公开了一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液。这种低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液含有(a)醇胺，(b)醇醚，(c)水，(d)螯合剂，(e)肼及其衍生物。这种低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液能够快速的去除经过硬烤、乾式刻蚀、灰化和等离子注入引起复杂化学变化后交联硬化的光刻胶，并且在能够去除金属线、通孔和金属垫晶圆上的光阻残留物的同时对于基材基本没有攻击，如金属铝，金属铜，非金属二氧化矽等。本发明的清洗液在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。