| 主权项 |
一种半导体元件，包括：一基板，其中该基板具有一N型场效电晶体(N-FET)区域；一闸极区域位于该N型场效电晶体(N-FET)区域之中；一源极及汲极(source and drain,S/D)区域受到位于该N型场效电晶体(N-FET)区域中之该闸极区域的分隔而彼此隔离；以及一第一鳍状结构位于N型场效电晶体(N-FET)区域该的一闸极区域之中，其中该第一鳍状结构包括：一第一半导体材料层作为该第一鳍状结构之一下方部份；一半导体氧化物层作为该第一鳍状结构之一中间部份；一第二半导体材料层作为该第一鳍状结构之一上方部份；以及一第二鳍状结构位于该N型场效电晶体(N-FET)区域的源极/汲极(source/drain)区域之中，其中该第二鳍状结构包括：一第一半导体材料层作为该第二鳍状结构之一下方部份；该半导体氧化物层作为该第二鳍状结构之一第一中间部份，其中该半导体氧化物层直接接触位于该闸极区域中之该第一鳍状结构的该中间部份；该第一半导体材料层作为一第二中间部份且相邻于该第二鳍状结构之该第一中间部份；该第二半导体材料层作为该第二鳍状结构之一上方部份；一源极/汲极特征结构位于该第二鳍状结构之上方部份的顶部之上，其中该第二鳍状结构系位于该源极/汲极区域之
中；以及一高介电常数介电层/金属闸极堆叠位于该基板之上，其中该高介电常数介电层/金属闸极堆叠包覆于该闸极区域中之该第一鳍状结构的一部份之上。 |
