| 发明名称 | 多闸极电晶体元件之制作方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI502648 | 申请公布日期 | 2015.10.01 |
| 申请号 | TW099138657 | 申请日期 | 2010.11.10 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 简金城;吴俊元;刘志建;林进富;蔡腾群 |
| 分类号 | H01L21/336 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 | |
| 主权项 | 一种多闸极电晶体元件之制作方法，包含：提供一半导体基底，该半导体基底上形成有一图案化硬遮罩；透过该图案化硬遮罩移除部份该半导体基底，以形成一第一图案化半导体层；移除该图案化硬遮罩以及圆角化(rounding)该第一图案化半导体层；于该半导体基底上依序形成一闸极介电层与一闸极层，且该闸极介电层与该闸极层系覆盖部分该第一图案化半导体层；移除部分该第一图案化半导体层形成一第二图案化半导体层；以及进行一选择性磊晶成长制程，于该第二图案化半导体层表面形成一磊晶层。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||