发明名称 |
带势垒层结构的砷化铟热光伏电池 |
摘要 |
本专利公开了一种带势垒层结构的砷化铟热光伏电池,电池的结构为:在P型砷化铟或N型砷化铟衬底上,依次为宽禁带阻挡层、砷化铟吸收层、N型砷化铟表面层或P型砷化铟表面层。电极分别做在腐蚀后台面的砷化铟衬底上以及N型(P型)砷化铟表面层上。本专利的优点在于:利用宽禁带势垒层阻挡PN结两侧产生的扩散暗电流,从而最终提高热光伏电池的量子效率。 |
申请公布号 |
CN204680680U |
申请公布日期 |
2015.09.30 |
申请号 |
CN201520372603.4 |
申请日期 |
2015.06.02 |
申请人 |
中国科学院上海技术物理研究所 |
发明人 |
胡淑红;王洋;吕英飞;孙艳;戴宁 |
分类号 |
H01L31/0735(2012.01)I;H01L31/0725(2012.01)I;H01L31/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0735(2012.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
郭英 |
主权项 |
一种带势垒层结构的砷化铟热光伏电池,包括衬底、阻挡层、吸收层和表面层,其特征在于:所述的光伏电池的结构为:在衬底上依次为宽禁带的阻挡层、砷化铟的吸收层、砷化铟的表面层;两个电极分别做在腐蚀后台面的衬底上以及砷化铟表面层上;所述的衬底是P型砷化铟或N型砷化铟衬底;所述的宽禁带的阻挡层是厚度为100‑200纳米的铟砷锑磷四元合金薄膜层,合金室温禁带宽度为0.50eV;所述的砷化铟的吸收层的厚度为3‑5微米;所述的砷化铟的表面层为N型砷化铟或P型砷化铟,厚度为100‑200纳米。 |
地址 |
200083 上海市虹口区玉田路500号 |