| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供具有核心区和非核心区的半导体衬底，在半导体衬底上形成有伪栅极结构；在位于核心区的将要形成源/漏区的部分中形成第一嵌入式外延层，并在第一嵌入式外延层的顶部形成第一帽层；在位于非核心区的将要形成源/漏区的部分中形成第二嵌入式外延层，并以第一帽层的厚度为基准，在第二嵌入式外延层的顶部形成与第一帽层的厚度相同的第二帽层。根据本发明，可以在位于核心区和非核心区的将要形成源/漏区的部分中形成具有均一高度的嵌入式外延层。 | ||
| 申请公布号 | CN104952796A | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201410111578.4 | 申请日期 | 2014.03.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 丁士成;陈林林 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供具有核心区和非核心区的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有伪栅极结构；在位于所述核心区的将要形成源/漏区的部分中形成第一嵌入式外延层，并在所述第一嵌入式外延层的顶部形成第一帽层；在位于所述非核心区的将要形成源/漏区的部分中形成第二嵌入式外延层，并以所述第一帽层的厚度为基准，在所述第二嵌入式外延层的顶部形成与所述第一帽层的厚度相同的第二帽层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||