| 发明名称 | 等离子体辅助物理气相沉积源 | ||
| 摘要 | 本发明涉及等离子体辅助物理气相沉积源，尤其涉及一种向在高真空形成薄膜的热物理气相沉积源(Thermal Physical Vapor Deposition)结合等离子体的技术。 | ||
| 申请公布号 | CN104955979A | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201380071622.7 | 申请日期 | 2013.12.04 |
| 申请人 | 韩国基础科学支援研究院 | 发明人 | 崔镕燮;郑熔镐;卢泰协;石东簒;朴贤宰 |
| 分类号 | C23C14/24(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 杨贝贝;臧建明 |
| 主权项 | 一种等离子体辅助物理气相沉积源，其特征在于，包括：坩埚，其内部具有等离子体发生空间；喷嘴，其形成于所述坩埚的上端面；等离子体发生用电极，其沿所述坩埚的长度方向向坩埚内部插入了预定长度；等离子体发生用电源装置，其连接于所述等离子体发生用电极；绝缘体，其包围所述等离子体发生用电极的下部的局部，填充坩埚内部的局部；以及蒸发物质，其堆积于所述绝缘体上，其中，所述喷嘴能够变更喷嘴尺寸使得所述坩埚内部的等离子体发生空间保持能够发生等离子体的压力。 | ||
| 地址 | 韩国大田市 | ||