发明名称 基于LTCC的W波段高抑制微型带通滤波器
摘要 本发明公开了一种基于LTCC的W波段高抑制微型带通滤波器,包括陶瓷基板,上表面金属壁、下表面金属壁,五十三个金属化通孔形成的金属壁以及上表面金属壁两端共面波导输入输出端口。本发明频带为W波段,是由SIW技术实现。该技术具有覆盖频段广、插入损耗小、频率选择性好、谐波抑制特性好、电路结构简单、抗电磁干扰特性优,可控性好、成品率高等突出优点。太赫兹技术是一个非常重要的交叉前沿领域,鉴于如今各通信频段使用已趋于饱和,W波段及以上频段具有广阔的开发前景。
申请公布号 CN103515679B 申请公布日期 2015.09.30
申请号 CN201310467441.8 申请日期 2013.10.09
申请人 南京理工大学 发明人 戴永胜;顾家;朱丹;邓良;方思慧;陈龙;冯辰辰;李雁;罗鸣;施淑媛;陈相治;朱正和
分类号 H01P1/20(2006.01)I 主分类号 H01P1/20(2006.01)I
代理机构 南京理工大学专利中心 32203 代理人 朱显国
主权项 一种基于LTCC的W波段高抑制微型带通滤波器,其特征在于:包括陶瓷基板(S)、上表面金属壁(G1)、下表面金属壁(G2)、输入端口(P1)、输出端口(P2)、五十三个金属化通孔、由金属化通孔形成的九个金属电壁;其中上表面金属壁(G1)是在陶瓷基板(S)的上表面印刷的金属层,下表面金属壁(G2)是在陶瓷基板(S)的下表面印刷的金属层;五十三个金属化通孔的两端分别与上表面金属壁(G1)和下表面金属壁(G2)相连接;上表面金属壁(G1)的一端开槽作为输入端口(P1),上表面金属壁(G1)的另一端开槽作为输出端口(P2);第一电壁(L1)是由第十五金属化通孔(V15)、第十六金属化通孔(V16)、第十七金属化通孔(V17)、第十八金属化通孔(V18)组成的;第二电壁(L2)是由第二十金属化通孔(V20)、第二十一金属化通孔(V21)、第二十二金属化通孔(V22)、第二十三金属化通孔(V23)组成的;第三电壁(L3)是由第十九金属化通孔(V19)、第二十四金属化通孔(V24)、第二十五金属化通孔(V25)、第二十六金属化通孔(V26)、第二十七金属化通孔(V27)、第二十八金属化通孔(V28)组成的;第四电壁(L4)是由第三十金属化通孔(V30)、第三十一金属化通孔(V31)、第三十二金属化通孔(V32)组成的;第五电壁(L5)是由第三十三金属化通孔(V33)、第三十四金属化通孔(V34)、第三十五金属化通孔(V35)、第三十六金属化通孔(V36)组成的;第六电壁(L6)是由第三十七金属化通孔(V37)、第三十八金属化通孔(V38)、第三十九金属化通孔(V39)、第四十金属化通孔(V40)、第四十一金属化通孔(V41)组成的;第七电壁(L7)是由第四十二金属化通孔(V42)、第四十三金属化通孔(V43)、第四十四金属化通孔(V44)、第四十五金属化通孔(V45)、第四十六金属化通孔(V46)组成的;第八电壁(L8)是由第四十七金属化通孔(V47)、第四十八金属化通孔(V48)、第四十九金属化通孔(V49)、第五十金属化通孔(V50)组成的;第九电壁(L9)是由第五十一金属化通孔(V51)、第五十二金属化通孔(V52)、第五十三金属化通孔(V53)组成的;第一谐振腔(R1)由第一电壁(L1)、第三电壁(L3)、第九电壁(L9)、以及第一金属化通孔(V1)、第二金属化通孔(V2)、第三金属化通孔(V3)、第四金属化通孔(V4)与上表面金属壁(G1)、下表面金属壁(G2)形成;第二谐振腔(R2)由第七电壁(L7)、第八电壁(L8)、第三金属化通孔(V3)、第四金属化通孔(V4)、第五金属化通孔(V5)、第六金属化通孔(V6)、第七金属化通孔(V7)、第九金属化通孔(V9)与上表面金属壁(G1)、下表面金属壁(G2)形成;第三谐振腔(R3)由第五电壁(L5)、第六电壁(L6)、以及第七金属化通孔(V7)、第八金属化通孔(V8)、第九金属化通孔(V9)、第十金属化通孔(V10)、第十一金属化通孔(V11)、第十二金属化通孔(V12)与上表面金属壁(G1)、下表面金属壁(G2)形成;第四谐振腔(R4)由第二电壁(L2)、第三电壁(L3)、第四电壁(L4)、以及第十金属化通孔(V10)、第十二金属化通孔(V12)、第十三金属化通孔(V13)、第十四金属化通孔(V14)与上表面金属壁(G1)、下表面金属壁(G2)形成。
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