METHOD FOR PRODUCING A MICROMECHANICAL COMPONENT WITH THIN-FILM CAPPING

摘要

Es wird eine Verkappungstechnologie bereitgestellt, bei der trotz Freilegung der mit einer Silizium-Germanium-Füllschicht (4, 3) umgebenen Strukturen (2) mittels ClF<SUB>3</SUB>-Ätzen durch Mikroporen in der Silizium-Verkappung (7) hindurch dabei ein Ätzangriff auf die Silizium-Kappe (7, 11) verhindert wird, nämlich entweder durch besonders selektive (etwa 10000:1 oder höher) Einstellung des Ätzprozesses selbst oder dadurch, die Einsicht, dass das Oxid einer Germanium-reichen-Schicht (5, 10) im Gegensatz zum oxidierten porösen Silizium (11) nicht stabil, sondern leicht lösbar ist, zum Schutz der Silizium-Kappe (7, 11) zu nutzen.