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Auf einer Strukturoberfläche (200) eines Grundsubstrats wird eine Zwischenschicht (402) vorgesehen. Auf der Zwischenschicht (402) wird eine vergrabene Hartmaske (41) vorgesehen, wobei die vergrabene Hartmaske (41) Templatöffnungen (429) aufweist, die entlang einer Linienlängsachse eine Templatlänge (1) und senkrecht dazu eine Templatweite (w1) weisen. Die vergrabene Hartmaske (41) wird mit einem Füllmaterial (421) gefüllt. Eine obere Maske (422a) wird über der gefüllten vergrabenen Hartmaske (41) vorgesehen, wobei die obere Maske (422a) eine Trimmöffnung (429) aufweist, die die Templatöffnung (429) kreuzt und entlang der Linienlängsachse eine Trimmweite (w2) aufweist, die kleiner ist als die Templatlänge (1). Das Füllmaterial (421) sowie die Zwischenschicht (402) werden unter Verwendung der oberen (422a) und der vergrabenen Hartmaske (41) zurückgeätzt, wobei ein Prozessabschnitt der Strukturoberfläche (200) freigelegt wird. Eine Ziellänge und Zielweite des Prozessabschnitts ergibt sich aus der Templatweite (w1) und der Trimmweite (w2). Die planaren Abmessungen des Prozessabschnitts sind voneinander entkoppelt und die Ausbildung isolierter Reihen mit eng benachbarten Kontakten mit planaren Abmessungen entsprechend der mit lithografischen Auflösungsverbesserungstechniken (RET) für sich wiederholende, dichte Linienstrukturen werden ermöglicht.
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