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Ein p-n-Übergang wird an der Grenze zwischen einer niederdotierten n-Typ-Verunreinigungsschicht (3) und einer p-Typ-Dotierungsregion (5) in der Nähe der oberen Hauptoberfläche eines n-Typ-Halbleitersubstrates (2) einer Halbleitervorrichtung (1) ausgebildet. Eine Maske (15), bestehend aus einem Absorber, wird auf der oberen Hauptoberfläche der Halbleitervorrichtung (1) platziert und Elektronenstrahlen werden ausgestrahlt. Danach wird eine Wärmebehandlung durchgeführt. Als ein Ergebnis ist das Maximum der Kristallgitterdefektdichte in der Nähe der oberen Hauptoberfläche des n-Typ-Halbleitersubstrates (2) vorhanden und die Kristallgitterdefektdichte nimmt zu der unteren Hauptoberfläche hin ab. Dadurch kann eine Halbleitervorrichtung erhalten werden, bei der die Schwankung der Durchbruchsspannungseigenschaften des p-n-Übergangs der Diode minimiert werden kann und die optimale Ladungsträgerlebensdauer gesteuert werden kann.
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