分段场效应晶体管及其制造方法

摘要

公开了一种场效应器件，具有由晶体半导体材料形成的本体，所述本体具有至少一个垂直取向部分和至少一个水平取向部分。通过首先在掩蔽的绝缘体中形成器件，然后通过几个蚀刻步骤将该形成体转移到SOI层内，在SOI技术中制备器件。分段的场效应器件将FinFET或全耗尽的绝缘体上硅FET型器件与全耗尽的平面器件组合。该组合能用FinFET型器件控制器件的宽度。分段的FET器件能够为给定的布图设计区域提供高电流驱动并能制备高性能的处理器。

主权项

1.一种场效应器件，包括：由晶体半导体材料形成的本体，所述本体具有至少一个垂直取向部分和至少一个水平取向部分，其中所述至少一个垂直取向部分包括两个相对的面，并且具有第一高度和第一宽度，其中所述至少一个水平取向部分包括顶面和底面，并具有第一厚度，其中所述底面与绝缘表面交接，还包括设置在所述绝缘表面上的源/漏区，所述源/漏区邻近所述本体，以使所述场效应器件中流过所述源漏区之间的本体的电流沿水平方向取向，其中所述源区或漏区各自的厚度不一致并具有最小厚度和最大厚度，其中所述最小厚度大于所述第一厚度。