发明名称 |
半穿透反射式液晶显示阵列基板的像素结构及制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半穿透反射式液晶显示阵列基板的像素结构,该像素结构包括图案化第一导电层、图案化第二导电层以及图案化透明导电层,图案化第一导电层形成于基板上,且包括第一部分用以耦接像素电极电位,图案化第二导电层包括第一部分用以耦接共同电极电位,并与图案化第一导电层的第一部分形成第一储存电容,图案化透明导电层耦接像素电极电位而与图案化第二导电层的第一部分形成第二储存电容,一种半穿透反射式液晶显示阵列基板的制造方法也在此揭露。 |
申请公布号 |
CN101162337A |
申请公布日期 |
2008.04.16 |
申请号 |
CN200710187303.9 |
申请日期 |
2007.11.19 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
林永伦;董修琦;柳俐萍 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01);G02F1/133(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01) |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
梁挥;祁建国 |
主权项 |
1.一种半穿透反射式液晶显示阵列基板的像素结构,其特征在于,包含:一图案化第一导电层,形成于一基板上,该图案化第一导电层的一第一部分耦接一像素电极电位;一第一内层介电层,覆盖于该图案化第一导电层上;一图案化第二导电层,形成于该第一内层介电层上,该图案化第二导电层的一第一部分用以耦接一共同电极电位,并与该图案化第一导电层的该第一部分形成一第一储存电容;一第二内层介电层,覆盖于该图案化第二导电层上;以及一图案化透明导电层,形成于该第二内层介电层上,并耦接该像素电极电位而与该图案化第二导电层的该第一部分形成一第二储存电容。 |
地址 |
台湾省新竹 |