发明名称 |
喷墨打印头和制造喷墨打印头的方法 |
摘要 |
本发明提供具有满足所期望的目的的流路形状的喷墨打印头、以及制造喷墨打印头的方法。在用于制造喷墨打印头的方法中,制备SOI基板,该SOI基板具有第一硅层、第二硅层、以及绝缘层。在第一单晶硅层上形成牺牲层。在牺牲层的上方形成蚀刻停止层。在SOI基板的表面上形成能量生成元件。对第二硅层和绝缘层执行蚀刻以形成墨供给口。通过蚀刻形成该供给口。蚀刻第一硅层以形成液体流路。除去蚀刻停止层的一部分以形成喷射口。 |
申请公布号 |
CN101161459A |
申请公布日期 |
2008.04.16 |
申请号 |
CN200710182210.7 |
申请日期 |
2007.10.12 |
申请人 |
佳能株式会社 |
发明人 |
早川和宏 |
分类号 |
B41J2/16(2006.01);B41J2/14(2006.01) |
主分类号 |
B41J2/16(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
党建华 |
主权项 |
1.一种用于制造喷墨打印头的方法,该喷墨打印头包括:墨喷射口;能量生成元件,其生成用来从喷射口喷射墨的能量;墨流路,其与喷射口连通;以及墨供给口,其与所述流路连通以供给墨,该方法包括:制备SOI基板的步骤,该SOI基板具有第一硅层、第二硅层、以及设置在第一硅层和第二硅层之间的绝缘层;使用能够相对于硅被选择性蚀刻的材料,以在所述第一硅层上形成牺牲层的步骤;在所述牺牲层的上方形成蚀刻停止层的步骤;在所述SOI基板的表面上形成能量生成元件的步骤;对所述第二硅层和所述绝缘层的一部分进行除去以形成所述墨供给口的步骤;在所述第一硅层上执行蚀刻以形成所述流路的步骤;以及除去所述蚀刻停止层的一部分以形成所述喷射口的步骤。 |
地址 |
日本东京 |