具有沉积氧化物的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管

摘要

一种沟槽型的功率半导体设备，包括所述沟槽内沉积的而非生成的氧化物，从而将设置在所述沟槽内的电极电隔离于所述半导体主体。

主权项

1.一种功率半导体设备，包括：半导体主体，包括具有一种导电性的漂移区以及在所述漂移区上具有另一种导电性的通道区；至少通过所述通道区在所述半导体主体中形成的栅极沟槽，所述栅极沟槽包括侧壁和底部壁；设置在所述沟槽底部的氧化体；形成在所述氧化体上的栅电极；以及介于所述沟槽的侧壁和所述栅电极之间的栅极氧化物，其中所述氧化体不如所述栅极氧化物紧致。