发明名称 |
成膜方法和成膜装置以及永磁铁和永磁铁的制造方法 |
摘要 |
在有效利用作为成膜材料的Dy、Tb的同时,通过在具有规定形状的铁-硼-稀土系的磁铁表面高速成膜来提高生产率,能以低成本制造出永磁铁。通过在具有规定形状的铁-硼-稀土系磁铁表面上形成Dy膜的成膜工序以及通过在规定温度下实施热处理,使在表面上成膜的Dy扩散到磁铁的晶界相的扩散工序制造永磁铁。在上述情况下,成膜工序由加热实施该成膜工序的处理室,使预先配置在该处理室内的Dy蒸发,在处理室内形成具有规定的蒸汽压的Dy蒸汽气氛的第1工序,以及将保持在低于处理室内的温度上的磁铁送入处理室,在该磁铁达到规定温度之前,利用处理室内和磁铁之间的温差,使Dy选择性地附着沉积到磁铁表面的第2工序构成。 |
申请公布号 |
CN101163814A |
申请公布日期 |
2008.04.16 |
申请号 |
CN200680008726.3 |
申请日期 |
2006.03.14 |
申请人 |
株式会社爱发科 |
发明人 |
永田浩;新垣良憲 |
分类号 |
C23C14/54(2006.01);C23C14/22(2006.01);H01F1/053(2006.01);H01F10/12(2006.01);H01F41/20(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/54(2006.01) |
代理机构 |
北京英特普罗知识产权代理有限公司 |
代理人 |
齐永红 |
主权项 |
1.一种成膜方法,其特征在于,包括:加热处理室,通过使预先配置在该处理室内的金属蒸发材料蒸发,在处理室内形成金属蒸汽气氛的第一工序;以及将保持在比处理室内的温度低的温度上的被成膜物送入该处理室,利用处理室内和被成膜物之间的温差,使前述金属蒸发材料选择性地附着沉积到被成膜物表面的第2工序。 |
地址 |
日本神奈川县 |