| 发明名称 | 电阻式存储器元件及其制造方法与操作方法 | ||
| 摘要 | 一种电阻式存储器元件，其配置于衬底上，包括钨电极、上电极与氧化钨层。上电极配置于钨电极上。氧化钨层配置于钨电极与上电极之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101162760A | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
| 申请号 | CN200710180755.4 | 申请日期 | 2007.10.11 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 李明道;何家骅;赖二琨;谢光宇 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/10(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种电阻式存储器元件，配置于一衬底上，其特征在于，包括：一钨电极；一上电极，配置于该钨电极上；以及一氧化钨层，配置于该钨电极与该上电极之间。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||