| 发明名称 | 用于修正硅衬底的缓冲结构 | ||
| 摘要 | 一种缓冲结构(1)，包括由氮化物合金(5)制成的组成分级层，氮化物合金包括两种或多种IIIB族元素，例如La、Y、Sc或Ac，该缓冲结构用于修正硅衬底(3)以产生通用衬底，在该衬底上可淀积一定范围内的目标材料(7)，例如GaN，以制造用于电学和光学应用的半导体器件。获得的晶格参数L随着穿过该结构的厚度T变化。 | ||
| 申请公布号 | CN100382244C | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
| 申请号 | CN200480004678.1 | 申请日期 | 2004.02.16 |
| 申请人 | 秦内蒂克有限公司 | 发明人 | D·J·沃利斯 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);C30B29/38(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种缓冲层结构，用于修正用于随后的目标材料淀积的硅衬底，该缓冲层结构包括组成分级缓冲层，该组成分级缓冲层包括IIIB族氮化物合金，所述的合金包括两种或多种IIIB族元素，其相对数量随着深度而变化以实现所述的分级，其中所述IIIB族元素选自于镧、钪和钇。 | ||
| 地址 | 英国伦敦 | ||