采用磁畴壁移动的存储器装置

摘要

本发明提供了一种采用磁畴壁移动的存储器装置。该存储器装置包括写轨道和列结构。写轨道形成了具有预定的磁化方向的磁畴。列结构形成在写轨道上并包括至少一个互连层和至少一个存储轨道。

主权项

1.一种存储器装置，包括：写轨道层，设置有磁畴，每个磁畴通过畴壁与相邻畴分隔开；互连层和存储轨道层的堆叠，存储轨道层设置有磁畴，磁畴的每个通过畴壁与相邻畴分隔开，其中，写轨道层和存储轨道层均具有从互连层延伸的部分，所述部分不与互连层接触，互连层和存储轨道层的堆叠形成在写轨道层上；其中，互连层由具有低于写轨道层的磁各向异性能量常数和存储轨道层的磁各向异性能量常数的磁各向异性能量常数的磁材料形成；其中，通过施加磁场或电流，畴壁沿写轨道层、互连层和/或存储轨道层移动。