发明名称 多孔质膜的前体组合物及其制备方法、多孔质膜及其制作方法以及半导体装置
摘要 本发明提供一种多孔质膜的前体组合物,所述多孔质膜的前体组合物包含:选自式Si(OR<SUP>1</SUP>)<SUB>4</SUB>及R<SUB>a</SUB>(Si)(OR<SUP>2</SUP>)<SUB>4-a</SUB>(式中,R<SUP>1</SUP>表示1价的有机基团,R表示氢原子、氟原子或1价的有机基团,R<SUP>2</SUP>表示1价的有机基团,a是1~3的整数,R、R<SUP>1</SUP>及R<SUP>2</SUP>可以相同或不同)表示的化合物中的至少1种化合物、在250℃以上显示热分解的热分解性有机化合物、具有催化作用的元素和有机溶剂。使用该前体组合物的溶液,使其与疏水性化合物进行气相聚合反应,制作具有低介电常数、低折射率、高机械强度的疏水性多孔质膜。使用有该多孔质膜的半导体装置。
申请公布号 CN101146874A 申请公布日期 2008.03.19
申请号 CN200680009348.0 申请日期 2006.03.17
申请人 株式会社爱发科;独立行政法人产业技术综合研究所;三井化学株式会社 发明人 藤井宣年;中山高博;金山敏彦;高村一夫;田中博文
分类号 C09D7/12(2006.01);C09D183/00(2006.01);H01L21/316(2006.01) 主分类号 C09D7/12(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 陈昕
主权项 1.一种多孔质膜的前体组合物,其特征在于,包含:选自下述通式(1)表示的化合物(A)及下述通式(2)表示的化合物(B)中的至少1种化合物、在250℃以上显示热分解的热分解性有机化合物(C)和选自电负度为2.5以下的两性元素、离子半径为1.6以上的元素及原子量为130以上的元素中的至少1种元素(D);Si(OR1)4 (1)Ra(Si)(OR2)4-a (2)上述式(1)及(2)中,R1表示1价的有机基团,R表示氢原子、氟原子或1价的有机基团,R2表示1价的有机基团,a是1~3的整数,R、R1及R2可以相同或不同。
地址 日本神奈川