发明名称 |
适用于低电压数据写入的EEPROM擦写高压转换控制缓存器 |
摘要 |
本发明提供一种适用于低电压数据写入的EEPROM擦写高压转换控制缓存器,它包括MaskBuf模块、DataBuf模块及数据写入控制逻辑模块,通过在SRAM存储器的真值和互补值两端分别接一个对地的NMOS管,利用SET和RESET信号分别对这两个NMOS管栅极控制,将数据写入SRAM存储器中,SRAM存储器的翻转阈值处于1/2VDD附近,写入的数据具有稳定和可靠等特性,在EEPROM内部擦写过程中,缓存器跟随EEPROM电荷泵输出高压的抬升转换输出高压控制信号,数据写入控制逻辑采用传输门(低压管)逻辑实现,电路简单,结构精简,可在最大程度上优化版图面积,实现本发明的目的。 |
申请公布号 |
CN101145393A |
申请公布日期 |
2008.03.19 |
申请号 |
CN200710047461.4 |
申请日期 |
2007.10.26 |
申请人 |
上海复旦微电子股份有限公司 |
发明人 |
周泉;沈晔晖;马庆容;金娴;章旭明;严沁佳 |
分类号 |
G11C16/10(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/10(2006.01) |
代理机构 |
上海天翔知识产权代理有限公司 |
代理人 |
刘粉宝 |
主权项 |
1.一种适用于低电压数据写入的EEPROM擦写高压转换控制缓存器,它包括MaskBuf模块、DataBuf模块和数据写入控制逻辑模块,其特征在于,在所述MaskBuf模块和DataBuf模块中的SRAM存储器的真值和互补值端分别设有对地的NMOS管,通过所述数据写入控制逻辑模块对NMOS管进行控制,将数据写入MaskBuf模块及DataBuf模块,在EEPROM内部擦写过程中,缓存器跟随EEPROM电荷泵输出高压的抬升转换输出擦、写高压控制信号。 |
地址 |
200433上海市杨浦区国泰路127号4号楼 |