发明名称 摄像装置
摘要 在各像素中构成光电二极管的第一扩散区域,蓄积对应于入射光而产生的载流子。第二扩散区域通过覆盖第一扩散区域的外围部而形成于第一扩散区域的表面。第一扩散区域的周围部分因元件分离区域的制造工程和栅电极的制造工程而容易发生结晶缺陷,并容易产生暗电流噪声。第二扩散区域发挥防止在制造工程中发生结晶缺陷的保护层的功能。第二扩散区域并不形成于很难发生结晶缺陷的第一扩散区域表面的部分上。在没有形成第二扩散区域的第一扩散区域,由于可以增大空乏层的厚度,所以能够提高光的检测灵敏度。因此,能够在不增加暗电流噪声的情况下,提高光电二极管的检测灵敏度。
申请公布号 CN101147260A 申请公布日期 2008.03.19
申请号 CN200580049317.3 申请日期 2005.03.28
申请人 富士通株式会社 发明人 井上忠夫;山本克义;小林博
分类号 H01L27/146(2006.01);H04N5/335(2006.01) 主分类号 H01L27/146(2006.01)
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 张龙哺
主权项 1.一种摄像装置,其特征在于,具有多个像素,该多个像素分别具有光电二极管,每个所述像素具有:第一导电型的第一扩散区域,其在所述光电二极管构成光载流子蓄积部;传送晶体管,其将所述第一扩散区域作为源电极,并在与所述第一扩散区域相邻的位置,中间夹着绝缘膜而形成有栅电极,而且将蓄积在所述光电二极管中的光载流子传送到漏电极;第二导电型的第二扩散区域,其覆盖所述第一扩散区域的外围部而形成在所述第一扩散区域的表面,并具有与第一导电型相反的极性。
地址 日本神奈川县