| 发明名称 | 一种防止旁瓣被刻蚀转移到衬底的方法 | ||
| 摘要 | 在先进的半导体制造工艺中，移相掩膜的使用越来越广泛。尤其在接触孔光刻方面，弱化移相掩膜已经成为0.18μm及以下技术节点中通用的解决方案。但与弱化移相掩膜伴生的旁瓣往往在刻蚀过程中被转移到衬底，导致不该开孔的地方孔被开出，制约了工艺窗口。本发明通过光刻胶回流防止旁瓣被刻蚀转移到衬底。其方法是在接触孔光刻后刻蚀前加一步烘烤，并控制合适的烘烤温度和时间使得光刻胶发生流动，从而将旁瓣填平，使旁瓣不因胶被刻透而转移到衬底上。 | ||
| 申请公布号 | CN100376016C | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
| 申请号 | CN200310109456.3 | 申请日期 | 2003.12.16 |
| 申请人 | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 肖慧敏 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01);H01L21/30(2006.01);G03F7/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 滕怀流;陶金龙 |
| 主权项 | 1.一种防止旁瓣被刻蚀转移到衬底的方法，其特征在于在接触孔光刻后、刻蚀前增加一步烘烤，并通过调整光刻胶烘烤温度和时间来控制光刻胶流动的程度，以填平旁瓣而不影响正常孔。 | ||
| 地址 | 200020上海市淮海中路918号18楼 | ||