| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Beleuchtungssystem für eine Mikrolithograhie-Projektionsbelichtungsanlage, wobei das Beleuchtungssystem eine Lichtquelle, die Licht im Wellenlängenbereich <= 100 nm, insbesondere im EUV- Wellenlängenbereich emittiert, zur Ausleuchtung einer Austrittspupillenebene (121) umfasst, sowie - ein Element mit dem wenigstens eine erste Ausleuchtung (22) in der Austrittspupillenebene (121) in eine zweite Ausleuchtung (24) geändert werden kann und wenigstens einen Detektor (106.1, 106.2) zur Detektion des Lichtes, wobei dadurch gekennzeichnet, dass das Beleuchtungssystem eine Vorrichtung (164) umfasst, die wenigstens ein Lichtintensitätssignal des Detektors (106.1, 106.2) aufnimmt und wenigstens in Abhängigkeit von dem aufgenommenen Lichtintensitätssignal ein Steuersignal (166) zur Verfügung stellt, mit dem eine Scan-Geschwindigkeit eines lichtempfindlichen Objektes in einer Bildebene (221 ) der Mikrolithographie- Projektionsbelichtungsanlage eingestellt werden kann.</p> |
