Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (1), bei welchem durch Bestrahlung im Material des zugrunde liegenden Halbleitersubstrats (20) Kristalldefekte erzeugt werden, die eine inhomogene Kristalldefektdichteverteilung in vertikaler Richtung des Halbleiterbauelements (1) ausbilden und zu einer entsprechenden inhomogenen Verteilung der Trägerlebensdauer führen.